تقریبا یک سال پیش بود که سامسونگ اعلام کرد موفق به توسعه حافظه جدیدی شده است که بیش از ۱۰۰ هزار بار از حافظه های NAND flash سریعتر می باشد و به هیچ وجه فرسوده نخواهد شد.
این حافظه جدید با نام MRAM با بهره یگری از فناوری STT با نام گشتاور چرخشی تولید شده است که سامسونگ را قادر می سازد تا اقدام به تولید حافظه های کم ظرفیت برای دستگاه هایی همچون گوشی هوشمند،گجت های پوشیدنی و اینترنت اشیا کند که هم اکنون از حافظه های NAND flash بهره می برند.قبل از این دپارتمان LSI سامسونگ گزارشی منتشر کرده بود که کار روی سیستمی که در آن از حافظه های MRAM استفاده شده است را شروع کرده است.
این حافظه های MRAM برپایه تکنولوژی گشتاور چرخشی مصرف انرژی بسیار کمتری در قباس با دیگر حافظه ها دارند و در مواقعی که هیچ فعالیتی ندارند،هیچ انرژی مصرف نمی کنند.بنابر جدیدترین اخبار،احتمال می رود سامسونگ در ۲۴ ماه می از این حافظه های جدید پرده برداری کند.
منبع:sammobile
